SDD320N12法国二极管模块价格 PWB60A30

上海菲兹电子科技有限公司专业代理功率半导体产品及配套器件，专业的IGBT以及配套驱动专业网上供应商，是功率半导体行业**企业。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，同时菲兹与多家电力电子行业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多**电子厂商（富士、三菱、英飞凌、富士通、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的优质诚信代理商和分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提技术支持！
锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流较小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流较小；当电压**过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用特殊工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种特殊二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，*形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。

N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。