SDD181N16法国二极管模块厂家 DD160KB160

上海菲兹电子科技有限公司全新销售功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业**企业。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业品牌形象，同时菲兹与多家电力电子行业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多**电子厂商（三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的优良诚信分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供完整的技术支持！
正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流较小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。

反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
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1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
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4、建准全系列风机；
5、CONCEPT及驱动板；
6、富士通单片机及其它配套产品；
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