MEO500-12DA二极管报价 上海菲兹

上海菲兹电子科技有限公司全新销售功率半导体产品及配套器件，是功率半导体行业企业。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉，在电力电子行业树立了良好的企业形象，同时菲兹与多家电力电子行业和上市公司长期保持着稳定互信的合作关系，也是众多电子厂商（三菱、英飞凌、西门康，艾塞斯，尼尔，ABB，西玛，三社、宏微等）的优良诚信分销商。通过多年的实战经验，菲兹人积累了坚实的功率半导体应用知识，为电力拖动、风力发电、电焊机、变频器、高频感应加热、逆变电源、电力机车等行业提供完善的解决方案，为客户提供完整的技术支持！
N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

当二极管两端的正向电压**过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流*增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流较小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压**过某个值时，电流开始急剧，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。

在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，*形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。
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欢迎来到上海菲兹电子科技有限公司网站， 具体地址是上海市徐汇区沪闵路1幢500室，联系人是张岚飒。 主要经营熔断器（fuse）是指当电流**过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种保护器件。 熔断器通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、等材料制成，广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中。。 单位注册资金未知。 本公司主营：熔断器,二极管,IGBT模块等产品，是一家优秀的电子产品公司，拥有优秀的高中层管理队伍，他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验，选择我们，值得你信赖！