60MT120KBIR整流桥价格 品质**

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整流桥壳体正面表面的温度分布。从上图可以看出，整流桥壳体正面的温度分布是较不均匀的，在热源（二极管）的正上方其表面温度达到109 ℃，然而在整流桥的中间位置，远离热源处却只有75 ℃，其表面的温差可达到34℃左右。这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4（其导热系数小于3.0W/m.℃），因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布较不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。

整流桥具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子电路中应用 非常广泛.常用的小功率整流桥有全桥和半桥之分.全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式, 常见的型号有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半桥有三种结构:一种是将两只二较 管顺向串联,在结点处引出一电极(如 2CQ1 型),另一 种是将两只二极管背靠背式反极性连接(称共阴式,如 2CQ2 型);*三种是将两只二极管头碰头式反极性连接(称共阳式,如 2CQ3 型).

整流桥作为一种功率元器件，非常广泛。应用于各种电源设备。
其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。

一般而言，对于损耗比较小（<3.0W）的元器件都可以采用自然冷却的方式来解决元器件的散热问题。当整流桥的损耗不大时，可采用自然冷却方式来处理。此时，整流桥的散热途径主要有以下两个方面：整流桥的壳体（包括前后两个比较大的散热面和上下与左右散热面）和整流桥的四个引脚。通常情况下，整流桥的上下和左右的壳体表面积相对于前后面积都比较小，因此在分析时都不考虑通过这四个面（上下与左右表面）的散热。
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1、富士、英飞凌、三菱、西门康全系列IGBT产品；
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3、富士、三菱、英飞凌、西门康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、单管、整流桥产品；
4、建准全系列风机；
5、CONCEPT及驱动板；
6、富士通单片机及其它配套产品；
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