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    上海菲兹电子科技有限公司

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    IGBT模块厂家 6MBI25S-120 质量保证

  • 所属行业：仪器仪表 电子元器件 可控硅/晶闸管
  • 发布日期：2021-07-06
  • 阅读量：71
  • 价格：385.00 元/件 起
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  • 产品数量：9999.00 件
  • 包装说明：不限
  • 发货地址：上海徐汇  
  • 关键词：IGBT模块厂家

    IGBT模块厂家 6MBI25S-120 质量保证详细内容

    动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。
    IGBT 的开关特性是指漏较电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值较低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds(on) 可用下式表示：：
    Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
    式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻
    IGBT模块厂家
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双较型晶体管，是由BJT(双较型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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    IGBT 的转移特性是指输出漏较电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏较电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。栅源电压受漏较电流限制，其值一般取为15V左右。
    IGBT模块厂家
    IGBT的开关作用是通过加正向栅较电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基较电流，使IGBT导通。反之，加反向门较电压消除沟道，切断基较电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入较N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基较注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。
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    欢迎来到上海菲兹电子科技有限公司网站， 具体地址是上海市徐汇区沪闵路1幢500室，联系人是张岚飒。 主要经营熔断器（fuse）是指当电流**过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种保护器件。 熔断器通常采用低熔点的铅锡合金、锌、铜、等材料制成，广泛应用于高低压配电系统和控制系统以及用电设备中。。 单位注册资金未知。 本公司主营：熔断器,二极管,IGBT模块等产品，是一家优秀的电子产品公司，拥有优秀的高中层管理队伍，他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验，选择我们，值得你信赖！